VCSEL 芯片应用技术创新
瑞识科技的VCSEL光芯片技术并非简单复制现有国际上的光芯片技术来进行国产化，
而是在立足自主研发的同时，以解决VCSEL芯片在光传感应用领域的
性能瓶颈、量产瓶颈和应用瓶颈等行业痛点为主导目标，不断进行VCSEL技术创新。
-
外延设计
-
结构设计
-
光电模拟
-
散热模拟
瑞识科技的VCSEL核心技术将解决以下痛点问题
-
如何突破VCSEL芯片的性能瓶颈，满足更复杂的光学应用场景？
-
如何通过工艺设计，保证VCSEL产品在大规模量产过程中的稳定性和长期可靠性？
-
如何让VCSEL芯片适配上更简单的光学系统，并保证系统性能最优？
瑞识技术亮点
-
业界领先PCE
VCSEL芯片全产品
PCE>40%@50°C -
高密度可寻址VCSEL
可实现PCE＞50%
光功率＞100W -
高密度随机排布列阵VCSEL
发光孔
间距至＜20μm -
快速脉冲上升与下降时间
（200PS~800PS）
可实现高性能dToF应用 -
超窄光氧化型VCSEL
发散角小于15°
实现更高光学集成 -
微透镜技术
直接在芯片上集成微透镜
实现芯片级光学整形
瑞识 VCSEL 核心技术
针对行业痛点问题，瑞识开发了相关芯片技术，并已在全球进行专利布局。
-
01 高光密度、高峰值VCSEL芯片技术
-
02 超窄光VCSEL芯片技术
-
03 背发光微透镜集成VCSEL芯片技术
在不增加芯片尺寸的条件下，实现大幅增加输出光功率数倍于普通VCSEL，同时光电转换效率（PCE）亦高于普通VCSEL，是推动大功率、长距离激光传感应用开发（例如，3D dToF，激光雷达）的核心技术之一。
采用创新的VCSEL光芯片结构设计和关键制程工艺改进，将VCSEL发散角控制在小于15度以内且保持了较高光功率，可大幅降低传感器件信号串扰现象，确保发射和反射光具有清晰、不互相干扰的往返路径，可帮助缩小接近传感模块尺寸、简化器件设计井实现更精确的距离测量。
采用背发光倒装结构的VCSEL芯片对脉冲驱动具有更快的上升和下降相应时间，可实现更高的峰值光功率。在背发光VCSEL上直接集成微透镜，既提高了光学性能，又显著降低了光学集成器件的厚度，适用于对于空间要求很苛刻的光传感终端如手机或VR/AR设备。
瑞识芯片量产制造
在VCSEL芯片量产制造方面，瑞识通过对芯片制程的优化，在确保芯片光功率和光电转换效率提升的同时，保持了芯片晶圆良率稳定性。且芯片产品已通过各项环境测试和高温老化测试。目前公司芯片产品的生产良率稳定在90%以上。
作为一家fabless公司，我们与全球顶级外延厂和晶圆厂建立了牢固的战略合作伙伴关系。瑞识团队同时具备世界顶尖光通讯VCSEL芯片公司和世界顶尖消费类VCSEL芯片公司从研发到大规模量产经验，其成员均拥有15年以上国外一线大厂产品开发和生产管理经验。